PXN9R0-30QLJ-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:35A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有30V的漏源電壓（VDSS）和35A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至7.5mΩ，在高電流應用中可有效降低導通損耗。其低RDON特性有助于減少功率器件在工作時的發熱，提升系統整體能效。適用于各類需要高效開關控制的電源管理系統，如直流-直流轉換器、負載開關電路以及電機驅動模塊。該器件結合了高電流承載能力與優異的導通性能，適合對空間和效率有較高要求的中高功率電子設備中的功率開關與同步整流應用。
