PXN9R0-30QLJ-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:35A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有30V的漏源電壓（VDSS）和35A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至7.5mΩ，在高電流應(yīng)用中可有效降低導(dǎo)通損耗。其低RDON特性有助于減少功率器件在工作時(shí)的發(fā)熱，提升系統(tǒng)整體能效。適用于各類需要高效開關(guān)控制的電源管理系統(tǒng)，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)電路以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。該器件結(jié)合了高電流承載能力與優(yōu)異的導(dǎo)通性能，適合對(duì)空間和效率有較高要求的中高功率電子設(shè)備中的功率開關(guān)與同步整流應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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