NTMFS4C022NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:150A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有30V漏源電壓（VDSS）和高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于大電流開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻低至1.5mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。器件具備優(yōu)異的熱性能和快速開關(guān)特性，適合用于高功率電源轉(zhuǎn)換、大電流直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)及高效能變換器等電路中，可滿足對(duì)功率密度和能量效率要求較高的設(shè)計(jì)需求，是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、高效功率控制的關(guān)鍵元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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