BSC0504NSI-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:90A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備30V漏源電壓（VDSS）和90A連續漏極電流（ID）能力，適用于中高功率開關應用。其典型導通電阻低至3mΩ，顯著減少導通損耗，提高電源轉換效率。器件具有優良的熱穩定性和快速開關響應特性，適合用于高性能電源管理系統、便攜式大功率設備、直流變換電路以及電池供電平臺中的功率控制模塊，是實現高效能、低功耗電路設計的關鍵元件，廣泛適配對電流承載能力和能效要求較高的場景。
