SQD40031EL_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:120A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:2.5mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款P溝道場效應管,具有30V的漏源電壓(VDSS)和120A的連續漏極電流(ID)能力,適用于高電流開關應用。其導通電阻低至2.5mΩ,在大電流工作條件下可有效降低導通損耗,提升系統效率。器件采用先進工藝制造,具備良好的熱穩定性和開關特性,適合用于電源管理模塊、直流電壓轉換、電池供電設備的負載開關以及各類高密度功率控制電路中,是實現高效能功率切換的優選器件。
