DMT2004UFV-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:90A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:3.5mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET),具有30V的漏源電壓(VDSS)和高達(dá)90A的連續(xù)漏極電流(ID),適用于高電流開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(RDS(on))低至3.5mΩ,有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)整體效率。該器件適用于大功率電源轉(zhuǎn)換電路、便攜式高能設(shè)備的電源管理模塊、電動工具驅(qū)動單元以及電池供電系統(tǒng)的主開關(guān)電路。憑借其優(yōu)異的電流承載能力和熱穩(wěn)定性,適合用于對空間緊湊性和能效要求較高的電子設(shè)備設(shè)計中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
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- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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