IPD90P03P4L04ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具備30V的漏源電壓（VDSS）和100A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.5mΩ，在低電壓開關應用中可有效減少導通損耗。其P溝道結構適用于高邊開關配置，有利于簡化柵極驅動電路設計。器件采用先進工藝制造，具有良好的熱穩定性和開關特性，適合用于電源管理模塊、直流電源轉換、電池供電設備及各類高電流開關電路中，滿足對效率和緊湊布局有較高要求的場景。
