E3M0075120D-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:36A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具備36A的連續(xù)漏極電流能力，導(dǎo)通電阻為80mΩ，展現(xiàn)出良好的導(dǎo)電效率與較低的功率損耗。基于碳化硅材料特性，該器件在高溫與高頻工作條件下仍能保持穩(wěn)定性能，提升了整體系統(tǒng)效率與可靠性。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、新能源發(fā)電配套設(shè)備及高性能電子電力裝置，在多種復(fù)雜環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高效的能量管理與控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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