SICW080N120Y4-BP-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:32A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:75mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管(MOSFET),具備優異的導電性能與高效的開關特性。其最大漏極電流ID為32A,導通電阻RDON低至75mΩ,能夠有效降低導通損耗,提高系統效率。高耐壓特性使其適用于多種高功率密度電源轉換場景,如高效能電源適配器、光伏逆變系統及高頻率DC-DC轉換器。器件基于碳化硅材料,具備良好的熱穩定性和抗輻射能力,適用于復雜電磁環境下的長期穩定運行。
