E3M0075120K-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），采用高性能碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)，具有出色的熱穩(wěn)定性和高耐壓特性。器件漏極電流ID可達(dá)32A，導(dǎo)通電阻RDON低至75mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效。適用于高功率密度、高頻開關(guān)的電力電子系統(tǒng)，如高效能電源模塊、儲(chǔ)能變換裝置及智能能源管理電路，滿足復(fù)雜環(huán)境下高效、可靠運(yùn)行的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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