E3M0075120K-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用高性能碳化硅半導體技術，具有出色的熱穩定性和高耐壓特性。器件漏極電流ID可達32A，導通電阻RDON低至75mΩ，有效降低導通損耗，提升整體能效。適用于高功率密度、高頻開關的電力電子系統，如高效能電源模塊、儲能變換裝置及智能能源管理電路，滿足復雜環境下高效、可靠運行的需求。
