NTH4L013N120M3S-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:165A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大連續漏極電流ID可達165A，漏源導通電阻RDON低至13mΩ，有效降低導通損耗，提高系統效率。采用碳化硅材料，具備高耐壓、高熱導率和低開關損耗特性，適用于高功率密度和高頻開關場景?？蓮V泛用于高效電源轉換系統、可再生能源設備及智能電網相關電路中，提供穩定可靠的電力控制與傳輸解決方案。
