AIMZH120R080M1TXKSA1-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備優異的導通性能和高可靠性。其漏極電流ID為32A，漏源電壓VDSS為1200V，導通電阻RDON低至75mΩ，適合用于對效率和穩定性要求較高的電路設計。碳化硅材料的特性使該器件具備良好的高溫耐受性和高頻工作能力，適用于電源轉換、能源管理、高性能計算及精密電子設備中的功率控制應用。
