C3M0040120D-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的電學性能和穩定性。其最大漏極電流ID為60A，導通電阻RDON低至40mΩ，支持在高電壓和大電流條件下實現高效能功率轉換。該器件基于碳化硅材料，具有良好的熱傳導性和高頻工作能力，適用于高功率電源轉換系統、新能源發電設備及高密度電力電子模塊。結構設計緊湊，便于集成，可滿足對效率、可靠性和空間利用率有較高要求的電子系統應用需求。
