SC013N120TCL-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247-4L 類別:碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:165A 參數(shù)2:電壓VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:13mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)采用N溝道結(jié)構(gòu),具備高電流承載能力,最大連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)165A,漏源擊穿電壓(VDSS)為1200V,確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。導(dǎo)通電阻(RDON)低至13mΩ,有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。器件基于碳化硅材料打造,具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和開關(guān)性能,適用于高頻率、高效率電力轉(zhuǎn)換場景,如電源模塊、儲能系統(tǒng)及智能電網(wǎng)中的功率調(diào)節(jié)裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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