G3R160MT12D-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:19A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能。其最大漏極電流（ID）為19A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至160mΩ，能夠有效降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。碳化硅材料的使用使其具備更高的擊穿電場強度與熱導(dǎo)率，支持高頻、高壓與高溫環(huán)境下的穩(wěn)定工作。適用于高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、可再生能源設(shè)備及精密電子裝置中的功率控制與能量調(diào)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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