IMZA120R014M1HXKSA1-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:165A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能。其最大漏極電流ID可達(dá)165A，導(dǎo)通電阻RDON低至13毫歐，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。碳化硅材料的使用使其具備更高的擊穿電場強(qiáng)度和熱導(dǎo)率，適用于高電壓、高頻率和高功率密度的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。該器件可廣泛應(yīng)用于高效能電力電子設(shè)備中，如智能電網(wǎng)、可再生能源系統(tǒng)及高精度電機(jī)控制模塊，為系統(tǒng)提供穩(wěn)定、可靠的電力支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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