C3M0065090D-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:36A 參數2：電壓VDSS:900V 參數3：RDON:65mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅場效應管（MOSFET）采用先進的碳化硅材料，具備優異的導熱性和耐高壓特性，適用于高效率、高頻率的功率轉換場景。其主要參數包括：最大漏極電流（ID）為36A，漏源擊穿電壓（VDSS）高達900V，導通電阻（RDON）低至65mΩ，器件類型為N溝道結構。該器件在設計上兼顧了低損耗與高可靠性，適用于電源適配器、儲能系統、光伏逆變器及其他高性能電力電子設備，為復雜工況下的穩定運行提供保障。
