WPM1481-6-HXY_DFN2X2B-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2B-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:16A 參數2：電壓VDSS:15V 參數3：RDON:11mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具備15V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS），連續漏極電流可達16A，導通電阻低至11mΩ。低RDON特性有助于減少功率損耗，提升系統整體效率。器件適用于中等電流負載的開關控制，常見于便攜式電子產品、電池供電設備的電源管理模塊、DC-DC轉換電路以及各類高密度板級設計中的反向極性保護與高端開關應用，適合對導通損耗敏感的低電壓大電流場景。
