H2N7002SDW1T1G_SOT-363_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.115A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道增強型MOSFET具有115mA的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至1.3mΩ，有助于減少功率損耗并提升轉(zhuǎn)換效率。柵源額定電壓為±20V（VGS），具備較高的驅(qū)動兼容性與穩(wěn)定性。器件適用于中低電流、高效率的開關(guān)電源、DC-DC變換電路及負載開關(guān)設(shè)計。其低導(dǎo)通電阻與良好的熱穩(wěn)定性使其在便攜式設(shè)備、小型電源適配器及電池供電系統(tǒng)中表現(xiàn)出良好的性能，適合對能效和空間布局有要求的通用電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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