WNM2030-3-HXY_SOT-723_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-723 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：8000/圓盤 參數1：電流ID:1.2A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:150mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有20V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS），連續漏極電流為1.2A，導通電阻典型值為150mΩ。低導通電阻有助于減少導通損耗，提高能效。器件適用于中低電壓開關應用，如電源管理模塊、便攜式設備的負載開關、DC-DC轉換電路以及各類電池供電的電子設備中的信號切換與功率控制，適合對空間和效率有要求的高密度電路設計。
