AO4437_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管（MOSFET）具有20A的連續漏極電流（ID）和20V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDON）低至12mΩ，有助于減少導通損耗，提高電源效率。柵源電壓（VGS）最大為12V，適用于低壓控制電路中的開關與功率調節。P溝道結構使其在高端開關應用中具有驅動便利性，常用于電池供電設備、便攜式電子產品及電源管理系統中的負載開關、逆變電路和DC-DC轉換模塊，滿足對低導通電阻和高能效的電路設計需求。
