P3M171K0K3_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:800mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有1700V的漏源擊穿電壓和5A的持續漏極電流能力，導通電阻為800mΩ，柵源額定電壓達±22V。器件基于硅基半導體工藝，具備良好的開關速度與熱穩定性。適用于高壓直流轉換、開關電源、逆變電源及高功率密度電源模塊等應用，其較高的耐壓能力與適中的導通損耗使其在大功率電力變換電路中表現穩定，可用于構建高效能、高可靠性的功率轉換系統，滿足對體積與效率有要求的電路設計需求。
