GC2M1000170D_TO-3PF_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:800mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有1700V的漏源擊穿電壓和5A的連續漏極電流能力，導通電阻為800mΩ，柵源額定電壓達±22V。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關性能與高溫穩定性，可有效降低開關損耗。適用于高電壓、高效率的電力電子系統，如高壓直流電源轉換、大功率逆變裝置、可再生能源發電單元以及儲能系統的功率級設計，尤其適合對功率密度、能效水平和熱管理有較高要求的應用場景。
