IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY_TO-3PF_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:800mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有1700V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）為800mΩ，柵源電壓范圍為±22V。得益于碳化硅材料的高臨界電場強度和熱導率，該器件具備優異的高壓阻斷能力、高溫工作穩定性及快速開關特性，能有效降低開關損耗，提升系統能效。適用于高電壓、高頻率的電力轉換應用，如大功率開關電源、高壓DC-DC變換器、光伏逆變單元及儲能系統中的功率調節模塊，適合對系統緊湊性與運行可靠性有較高要求的電力電子設計場景。
