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LSIC1MO170E0750-HXY_TO-3PF_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-3PF 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:1700V 參數3:RDON:800mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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該N溝道碳化硅場效應管具備1700V的漏源擊穿電壓和5A的連續漏極電流能力,導通電阻為800mΩ,柵源電壓范圍支持±22V。采用碳化硅材料,器件具有優異的耐高壓、耐高溫性能及出色的開關速度,可顯著降低開關損耗。其高熱導率和抗輻射特性提升了在復雜電磁環境下的運行可靠性。適用于高效率電源轉換系統,如大功率DC-DC變換器、不間斷電源、光伏逆變裝置及高頻開關電源模塊,適合對系統效率與功率密度有較高要求的電力電子設計應用。

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