WNSC2M1K0170JQ-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-3PF 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:1700V 參數3:RDON:800mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道增強型高壓場效應管,具備1700V的漏源擊穿電壓(VDSS),可承載5A連續漏極電流(ID),導通電阻(RDON)為800mΩ,有助于減少導通損耗,提升系統能效。柵源電壓范圍為±22V,具備良好的驅動兼容性與柵極保護能力。器件適用于高耐壓需求的開關電源、直流變換器、高壓逆變電路及功率控制模塊,在需要高電壓隔離與效率平衡的應用中表現出色,適用于復雜電磁環境下的穩定功率切換與能量管理場景。
