SCT2H12NZGC11-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:800mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道增強型功率場效應管，具有1700V的高漏源擊穿電壓（VDSS），可持續通過5A的漏極電流（ID）。其導通電阻（RDON）典型值為800mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。柵源額定電壓為±22V，具備較好的柵極驅動兼容性與可靠性。該器件適用于高電壓、中等電流的開關電源、逆變系統及高壓功率控制場合，能夠滿足對耐壓與效率有較高要求的應用場景，是構建高壓功率轉換電路的優選器件之一。
