SCT2H12NZGC11-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:800mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
這是一款N溝道增強型功率場效應管，具有1700V的高漏源擊穿電壓（VDSS），可持續(xù)通過5A的漏極電流（ID）。其導通電阻（RDON）典型值為800mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源額定電壓為±22V，具備較好的柵極驅動兼容性與可靠性。該器件適用于高電壓、中等電流的開關電源、逆變系統(tǒng)及高壓功率控制場合，能夠滿足對耐壓與效率有較高要求的應用場景，是構建高壓功率轉換電路的優(yōu)選器件之一。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
