DMWSH120H28SM4Q-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:81A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID為81A，導通電阻RDON低至21mΩ，能夠有效降低導通損耗，提升系統效率。碳化硅材料的運用使其在高頻、高壓、高溫環境下仍能穩定工作，適用于電源轉換、高效能電力控制及高密度功率模塊等場景，為復雜電路設計提供更高靈活性和可靠性。
