SC021N120T8L-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:81A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅N溝道場效應管（MOSFET）采用寬禁帶半導體材料，具備優異的功率處理能力與高效的開關性能。其主要參數包括：最大漏極電流（ID）為81A，漏源擊穿電壓（VDSS）高達1200V，導通電阻（RDON）低至21mΩ，顯著降低導通損耗并提升系統效率。該器件具有良好的熱導率和耐高溫特性，適用于高頻率、高效率電源轉換、儲能系統、電機控制及高性能電子設備中的功率電路設計，為復雜電路應用提供穩定可靠的解決方案。
