SC021N120T8L-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:81A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款碳化硅N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）采用寬禁帶半導(dǎo)體材料，具備優(yōu)異的功率處理能力與高效的開關(guān)性能。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流（ID）為81A，漏源擊穿電壓（VDSS）高達(dá)1200V，導(dǎo)通電阻（RDON）低至21mΩ，顯著降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件具有良好的熱導(dǎo)率和耐高溫特性，適用于高頻率、高效率電源轉(zhuǎn)換、儲能系統(tǒng)、電機(jī)控制及高性能電子設(shè)備中的功率電路設(shè)計，為復(fù)雜電路應(yīng)用提供穩(wěn)定可靠的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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