NTMFS5C673NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:65A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備65A的漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDON）低至8mΩ，表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)電性能與較低的導(dǎo)通損耗。適用于各類(lèi)中高功率電源系統(tǒng)，如直流變換器、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及高效能適配器等場(chǎng)景。器件設(shè)計(jì)注重穩(wěn)定性和耐用性，可滿足多種環(huán)境下的開(kāi)關(guān)與控制需求，適合用于對(duì)效率與可靠性有較高要求的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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