SIR4604LDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:65A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的電性能表現，適用于多種高效能場景。其漏極電流ID可達65A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至8mΩ，有效降低功耗并提升系統效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于電源管理、轉換器、電池保護電路及高密度電力電子設備中的開關應用。封裝形式可根據需求適配不同場景，滿足多樣化設計要求。
