SCT3022KLGC11-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:81A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:21mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有優異的電氣性能,適用于多種高要求的電子設備。其主要參數包括:最大漏極電流(ID)為81A,漏源擊穿電壓(VDSS)高達1200V,導通電阻(RDON)低至21mΩ,能夠有效降低功率損耗并提升系統效率。該器件采用先進工藝制造,具備良好的熱穩定性和耐久性,適用于電源轉換、電機控制、儲能系統及高性能計算設備中的開關電路設計。封裝形式可根據具體需求進行選擇,以滿足不同應用場景下的散熱與空間限制要求。
