NVMFS5C673NLAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:65A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:8mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備高性能與高穩(wěn)定性的特點(diǎn),適用于多種復(fù)雜電路環(huán)境。其主要參數(shù)包括:漏源擊穿電壓(VDSS)為60V,最大連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)65A,導(dǎo)通電阻(RDON)低至8mΩ,能夠有效減少功率損耗并提升導(dǎo)通效率。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化,響應(yīng)速度快,適合應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)控制以及各類中高功率電子設(shè)備中,滿足對(duì)性能與可靠性有較高要求的電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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