NVMFS5C673NLAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:65A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備高性能與高穩定性的特點，適用于多種復雜電路環境。其主要參數包括：漏源擊穿電壓（VDSS）為60V，最大連續漏極電流（ID）可達65A，導通電阻（RDON）低至8mΩ，能夠有效減少功率損耗并提升導通效率。器件結構優化，響應速度快，適合應用于高效電源轉換、電池管理系統、負載開關控制以及各類中高功率電子設備中，滿足對性能與可靠性有較高要求的電路設計需求。
