NVMFS5C673NLAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:65A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備高性能與高穩(wěn)定性的特點(diǎn)，適用于多種復(fù)雜電路環(huán)境。其主要參數(shù)包括：漏源擊穿電壓（VDSS）為60V，最大連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)65A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至8mΩ，能夠有效減少功率損耗并提升導(dǎo)通效率。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，響應(yīng)速度快，適合應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)控制以及各類中高功率電子設(shè)備中，滿足對(duì)性能與可靠性有較高要求的電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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