NTMFS5C673NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:65A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的電性能和可靠性，適用于多種高要求的電子應用場景。其主要參數包括：最大漏極電流（ID）為65A，漏源電壓（VDSS）為60V，導通電阻（RDON）低至8mΩ，有助于降低導通損耗并提高系統效率。器件采用先進的工藝制造，具備良好的熱穩定性和耐久性，適用于電源管理、高效能轉換器、電池保護電路以及各類精密電子設備中的開關與控制應用。
