NTMFS5C673NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:65A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的電性能和可靠性，適用于多種高要求的電子應(yīng)用場景。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流（ID）為65A，漏源電壓（VDSS）為60V，導(dǎo)通電阻（RDON）低至8mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。器件采用先進的工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐久性，適用于電源管理、高效能轉(zhuǎn)換器、電池保護電路以及各類精密電子設(shè)備中的開關(guān)與控制應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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