DMNH6012SPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:65A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備高電流承載能力和優異的導通性能，適用于多種功率電子應用。其主要參數包括：漏極電流ID為65A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至8mΩ，可有效減少功率損耗并提升系統效率。器件結構設計優化，具有良好的熱穩定性和耐高壓特性，適合用于高效電源轉換、電池充放電管理及高性能負載控制等場景，滿足對可靠性和效率有較高要求的電路設計。
