FDD6676AS-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源電壓（VDSS）和高達80A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）僅為5毫歐，具備優異的導電性能與較低的工作損耗。該器件適用于高電流、高效率的開關電路設計，可廣泛用于電源轉換器、電池管理系統、電動工具及各類中高功率電子設備中的功率控制與能量傳輸環節，滿足對穩定性和可靠性較高要求的應用場景。
