FDD6676AS-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有30V的漏源電壓(VDSS)和高達80A的額定漏極電流(ID),導通電阻(RDON)僅為5毫歐,具備優異的導電性能與較低的工作損耗。該器件適用于高電流、高效率的開關電路設計,可廣泛用于電源轉換器、電池管理系統、電動工具及各類中高功率電子設備中的功率控制與能量傳輸環節,滿足對穩定性和可靠性較高要求的應用場景。
