NVMFS5C673NLAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:65A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），漏源電壓VDSS為60V，連續漏極電流ID可達65A，導通電阻RDON典型值為8毫歐。該器件具備優異的開關性能和較低的導通損耗，適用于多種電源轉換系統，如高效能適配器、充電設備及儲能控制系統。采用穩定工藝制造，確保良好的熱穩定性與長期可靠性，可廣泛應用于直流變換器、電機驅動電路及智能家電中的功率開關場景，提供穩定的電氣表現和耐用性。
