DMNH6012SPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:65A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具有65A的連續漏極電流能力和60V的漏源擊穿電壓，導通電阻RDON典型值為8毫歐。器件具備優異的開關特性和較低的導通損耗，適用于多種中高功率電源變換應用，如高效電源適配器、電池管理系統及直流變換設備。采用成熟封裝與制造工藝，確保良好的熱穩定性和長期工作可靠性，適合用于電機控制、負載開關以及各類智能家電中的功率電路設計，提供穩定的電氣性能和耐用性。
