IRF8113TRPBF-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:18A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本N溝道場效應管（MOSFET）具備18A連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為30V，導通電阻僅為5mΩ，支持高效、低損耗的功率切換與控制。器件基于高密度溝槽工藝打造，優化了開關速度與導通壓降表現，適用于各類電源變換裝置、高性能計算設備供電模塊、儲能系統管理電路以及對空間與效率有較高要求的電子裝置中，滿足現代電路設計對穩定性和集成度的需求。
