RD3P100SNTL1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:100mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），最大漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS達100V，適用于中高壓功率轉換場景。導通電阻RDON為100mΩ，有助于減少導通狀態下的功率損耗，提高系統整體效率。該器件具備良好的熱穩定性和耐用性，適合用于電源管理、開關電路、電池供電設備及消費類電子產品中的功率控制應用。其性能參數可滿足多種常見功率設計需求，適用于多類通用電子系統的開發與實現。
