DMN3053L-7-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通能力，適用于多種電源管理與轉(zhuǎn)換場景。其最大漏極電流ID為5A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，確保在中低功率應(yīng)用中的穩(wěn)定運行；導(dǎo)通電阻RDON僅為33毫歐，有效降低導(dǎo)通損耗，提高整體效率。器件結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化，具備良好的溫度特性和耐用性，可廣泛用于消費類電子產(chǎn)品、便攜式充電設(shè)備、小型電源模塊及各類精密電子裝置中的開關(guān)控制電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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