SI7884BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:55A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:6.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管(MOSFET),具備優異的導通性能與開關特性。其漏極電流ID可達55A,漏源擊穿電壓VDSS為40V,適用于中高功率電源轉換場合。導通電阻RDON低至6.5mΩ,有助于降低導通損耗,提高系統效率。器件采用成熟工藝制造,具備良好的熱穩定性和可靠性,適合應用于電源管理、DC-DC轉換器、負載開關以及各類高效能電子設備中,為電路設計提供靈活且高效的解決方案。
