SI7884BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具備優異的導通性能與開關特性。其漏極電流ID可達55A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，適用于中高功率電源轉換場合。導通電阻RDON低至6.5mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合應用于電源管理、DC-DC轉換器、負載開關以及各類高效能電子設備中，為電路設計提供靈活且高效的解決方案。
