SI2336DS-T1-GE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:33mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于需要高效開關性能的各類電子設備。其主要參數包括：漏極電流ID為5A，漏源電壓VDSS最大可達30V，導通電阻RDON低至33毫歐，有助于降低功耗并提升系統效率。該器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合應用于電源管理、適配器、充電器及小型電動設備等領域的高頻開關電路中。
