SI4686DY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）主要參數如下：最大漏極電流ID為15A，漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON為7.5mΩ。該器件在導通狀態下具有較低的電阻，有助于減少功率損耗并提升系統效率。適用于各類中高功率電源管理應用，如DC-DC轉換器、同步整流電路、電池保護模塊及高性能計算設備中的功率控制單元，滿足對效率與空間布局有較高要求的電路設計需求。
