SI4686DY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）主要參數(shù)如下：最大漏極電流ID為15A，漏源電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON為7.5mΩ。該器件在導(dǎo)通狀態(tài)下具有較低的電阻，有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。適用于各類中高功率電源管理應(yīng)用，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、電池保護模塊及高性能計算設(shè)備中的功率控制單元，滿足對效率與空間布局有較高要求的電路設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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