IRF7809AVTRPBF-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON為7.5mΩ。較低的導通電阻使其在導通狀態(tài)下?lián)p耗更小，效率更高，適用于需要高效能功率管理的電路設計。該器件常用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關、電池管理系統(tǒng)以及各類高密度電子設備中，滿足對小型化與高性能有要求的設計場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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