SI4822DY-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）的主要參數包括：最大漏極電流ID為15A，漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON為7.5mΩ。該器件具備較低的導通損耗，適用于多種功率管理場景，如電源適配器、便攜式儲能設備、智能家電控制電路以及通信設備中的開關電源部分。其高效率和小型化特性支持復雜電子系統在性能與空間設計上的優化需求。
