SI4116DY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON為7.5mΩ。該器件適用于需要高效能功率管理的電子設備，能夠在中高功率應用中實現較低的導通損耗，支持高頻開關操作。由于其優異的電氣性能和穩定性，可廣泛用于電源轉換、電機控制、儲能系統及各類消費類電子產品中，為電路設計提供可靠的支持。
