DMN2025U-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有20V的漏源電壓（VDSS）和6A的連續漏極電流（ID），適用于多種中功率應用場景。其導通電阻（RDON）低至14毫歐，有助于降低導通損耗，提高系統效率。器件采用標準封裝形式，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合用于電源管理、負載開關、電池供電設備以及各類嵌入式系統中的高效能控制電路。該MOSFET在高頻開關應用中表現出色，同時兼顧低柵極電荷與快速響應特性，可滿足多樣化設計需求。
