DMN2025U-7-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:6A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有20V的漏源電壓（VDSS）和6A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于多種中功率應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻（RDON）低至14毫歐，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池供電設(shè)備以及各類嵌入式系統(tǒng)中的高效能控制電路。該MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，同時(shí)兼顧低柵極電荷與快速響應(yīng)特性，可滿足多樣化設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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