DMN2025U-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:6A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:14mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有20V的漏源電壓(VDSS)和6A的連續漏極電流(ID),適用于多種中功率應用場景。其導通電阻(RDON)低至14毫歐,有助于降低導通損耗,提高系統效率。器件采用標準封裝形式,具備良好的熱穩定性和可靠性,適合用于電源管理、負載開關、電池供電設備以及各類嵌入式系統中的高效能控制電路。該MOSFET在高頻開關應用中表現出色,同時兼顧低柵極電荷與快速響應特性,可滿足多樣化設計需求。
