DMN2025U-13-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:6A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備20V漏源耐壓（VDSS）和6A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為14毫歐，確保較低的導(dǎo)通損耗和較高的轉(zhuǎn)換效率。器件適用于各類中功率電源變換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場(chǎng)景。其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和快速開(kāi)關(guān)特性，使其在高頻工作環(huán)境下仍能保持良好性能，滿足多種通用型電路設(shè)計(jì)對(duì)效率與可靠性的要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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