DMN2025U-13-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備20V漏源耐壓（VDSS）和6A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）僅為14毫歐，確保較低的導通損耗和較高的轉換效率。器件適用于各類中功率電源變換、電機驅動、負載開關及電池管理系統等應用場景。其優異的熱穩定性和快速開關特性，使其在高頻工作環境下仍能保持良好性能，滿足多種通用型電路設計對效率與可靠性的要求。
