DMP3011SFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:55A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:8mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管(MOSFET)具有30V的漏源擊穿電壓(VDSS)和55A的最大連續漏極電流(ID),適用于高電流場景下的穩定工作。導通電阻(RDON)低至8毫歐,可有效降低導通損耗,提高系統效率。采用P溝道結構設計,適合用于電源管理、負載開關、電池供電設備以及各類便攜式電子產品中的高效電路控制。其優異的電氣性能和廣泛的工作范圍,使其在復雜環境中仍能保持可靠運行。
