DMTH3004LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備30V的漏源電壓（VDSS）和高達(dá)90A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于高電流、中低壓功率應(yīng)用場合。導(dǎo)通電阻（RDON）低至3.5毫歐，顯著減少導(dǎo)通損耗，提高整體能效。器件采用成熟穩(wěn)定的封裝工藝，具備良好的散熱性能與可靠性，可廣泛用于電源轉(zhuǎn)換器、儲能系統(tǒng)、智能家電及高性能計算設(shè)備中的開關(guān)電路設(shè)計，為高效、緊湊型電力電子系統(tǒng)提供有力支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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